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平台简介

PLATFORM INTRODUCTION

华慧高芯网是聚焦光电产业垂直领域的光电工艺代研发平台依托于清华大学天津电子信息研究院高端光电子芯片创新中心强大的技术储备和工艺团队:一方面,以全产业链闭环的模式提供芯片研发代工、检测分析、设备仪器以及相关配件耗材;另一方面,为光电产业基金寻找优质的投资标的,为半导体产业优质项目提供投融资对接

  • 研发中心

  • 标准厂房

  • 亿元

    投资力量

  • 高技术团队水平

清华大学天津电子信息研究院—高端光电子芯片创新中心

TIANJIN INSTITUTE OF ELECTRONIC INFORMATION, TSINGHUA UNIVERSITY -- HIGH END OPTOELECTRONIC CHIP INNOVATION CENTER

创新中心功能区概貌

创新中心面积约1200㎡,其中百级黄光区100㎡;

区域涵盖清洗、光刻、刻蚀、镀膜、研磨抛光、划片解理、检测、封装

拥有完整的光电子器件研发设备;

- 支持 III-V 族半导体光电子芯片的研发;

- 支持硅基半导体、二维材料、柔性材料、金属材料等加工工艺;

具有多个纳米尺度的特色工艺模块和先进表征模块;

配套的测试实验室提供国际领先的芯片测试分析技术;

引进目前世界最先进的电子束直写设备(EBL),可直写10纳米量级的图形。中心拥有当今最先进
的聚焦离子束显微镜,同时还有薄膜沉积、等离子蚀刻、电子束蒸发等光电芯片研发设备,代
表了微纳加工和结构、材料表征的世界顶级水平。


中心在面向支持天津电子院项目孵化的同时,面向社会开放,提供纳米尺度下光电子芯片的
制备工艺的解决方案,以提升我国光电子芯片的研发水平和产业化进程。

发展历程(Development History)

2015-07-20

清华大学天津电子信息研究院成立

2017-06-03

超净间竣工

2017-12-24

完成天使轮融资估值1.5亿人民币,泰有领投启迪会泰华

2018-01-16

华慧芯网络平台上线

2018-04

光电科技产业基金管理公司完成注册

2018-06

完成A轮估值逾2亿人民币融资

2018-07

高端光电子芯片创新中心正式挂牌运营

2018-10

清华产业园完成15000平方米超净间光电基金

若干微纳结构工艺模块

SEVERAL MICRO NANO STRUCTURE PROCESS MODULES

为基础物理研究、新材料结构探索、新功能器件开发,提供各种微纳尺度光电结构的设计、加工、测试全套解决方案。
  • 各种形状硅线波导、Slot波导,OAM空间辐射结构
  • 光子晶体一维纳米臂波导/微腔、二维波导/微腔,光声晶体悬臂波导微腔
  • 双曲超材料的制备及性能测试,II-V族有源材料高深宽比刻蚀工艺
  • 金属-介质核壳结构、“爆米花”结构纳米颗粒,金属SPP波导及器件
  • 微纳结构折射率热调控电极工艺,真空端面电子发射源制备及性能测试

光电领域双创孵化

DOUBLE INCUBATION IN THE FIELD OF OPTICS AND ELECTRICITY

具备为我国光电科技领域的高科技企业提供投融资等金融服务能力,打造高端光电科技领域的企业生态圈,以清华天津电子院高端光电子芯片创新中心为基石,联合国内众多科研机构、生产企业的高端设备和技术实力,打造光电科技领域“外延生长、芯片制备、模组封装、检测分析、及高端表征等”全链条的科学研究、产品研发、和小批量生产等的技术服务能力。


同时,依托清华大学、中科院半导体所、南开大学、天津大学等高等院所丰富的创业企业资源,结合10亿元人民币规模的光电科技专项基金(筹)的投资力量,具备为我国光电科技领域的高科技企业提供投融资等金融服务能力,打造高端光电科技领域的企业生态圈。

外延生长 芯片制备 模组封装 检测分析 高端表征
  • 光电科技专项基金

    10亿元人民币规模
  • 线上服务平台

    高端光电子芯片创新中心
  • 创业企业资源

    清华大学、中科院半导体所、南开大学、天津大学等高等院

机构角色

统一的高端技术平台,完全企业化的业务开展方式;


服务目标

为高等科研机构,提供高端光电子芯片工艺的设计、研发;
为光电产品公司,提供先进产品的研发、小批量生产;
为光电科技企业,提供投融资等金融服务;


愿景

打造光电高新企业产业生态圈,加速我国高端光电产品产业化

创新中心加工能力

INNOVATION CENTER PROCESSING CAPACITY

  • 10NM
    光刻

    电子束光刻可实现10nm量级的图形直写工艺,紫外光刻精度为0.8µm。可适用于高精度掩膜、微机电器件制造、新型IC研发等诸多方面

  • 3NM
    FIB

    同步实现FIB加工和SEM测量。具备纳米加工、纳米原型设计、2D/3D纳米表征、纳米分析能力,实现微纳米元件的制备和性能检测。

  • 多种材
    料刻蚀

    可实现Si、SiO2、SiN、InP、GaAs、GaN等材料的刻蚀。适用于集成电路,功率器件,MEMS等加工工艺。

  • ±5%
    镀膜

    可实现SiO、SiN、金属等薄膜的均匀沉积。薄膜均匀性优于±5%。可广泛应用于半导体材料及薄膜的微纳米结构加工。

  • 0.6NM
    测试

    SEM、光学显微镜,激光扫描显微镜、探针扫描显微镜测试及台阶仪等多项测试。其中,SEM分辨率达0.6nm;激光扫描水平分辨率达120nm;台阶仪重复性优于0.5nm,垂直方向分辨率可达0.1nm。